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【2h】

Measurement of low-frequency base and collector current noise and coherence in SiGe heterojunction bipolar transistors using transimpedance amplifiers

机译：使用跨阻放大器测量SiGe异质结双极晶体管中的低频基极和集电极电流噪声和相干性

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Bruce, SPO; Vandamme, LKJ Lodewijk = Lode; Rydberg, A Anders;
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年度 1999
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1. Measurement of low-frequency base and collector current noise and coherence in SiGe heterojunction bipolar transistors using transimpedance amplifiers [J] . Bruce S.P.O., Vandamme L.K.J. IEEE Transactions on Electron Devices . 1999,第5期

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3. Lateral base design rules for optimized low-frequency noise of differentially grown SiGe heterojunction bipolar transistors [J] . Martin Sanden, B. Gunnar Malm, Jan V. Grahn Microelectronics & Reliability . 2001,第6期

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4. Low-Frequency Noise Measurements of Bipolar Devices Under High DC Current Density: Whether Transimpedance or Voltage Amplifiers [C] . A. A. Lisboa de Souza, J. C. Nallatamby, M. Prigent European Microwave Integrated Circuits Conference . 2006

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